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參數(shù)資料
| 型號： | K9F5616D0C-H |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 32M的× 8位，16米x 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 15/42頁 |
| 文件大小： | 684K |
| 代理商： | K9F5616D0C-H |
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FLASH MEMORY
15
K9F5608D0C
K9F5608U0C
K9F5608Q0C
K9F5616D0C
K9F5616U0C
K9F5616Q0C
AC CHARACTERISTICS FOR OPERATION
NOTE
: 1. K9F5608Q0C tREA = 35ns.
2. If reset command(FFh) is written at Ready state, the device goes into Busy for maximum 5us.
3. The time to Ready depends on the value of the pull-up resistor tied R/B pin.
4. To break the sequential read cycle, CE must be held high for longer time than tCEH.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
K9F5608X0C
K9F5616U0C
K9F5616D0C
K9F5616Q0C
K9F5608X0C
K9F5616U0C
K9F5616D0C
K9F5616Q0C
Data Transfer from Cell to Register
t
R
-
-
10
10
μ
s
ALE to RE Delay
t
AR
10
10
-
-
ns
CLE to RE Delay
t
CLR
10
10
-
-
ns
Ready to RE Low
t
RR
20
20
-
-
ns
RE Pulse Width
t
RP
25
40
-
-
ns
WE High to Busy
t
WB
-
-
100
100
ns
Read Cycle Time
t
RC
50
60
-
-
ns
RE Access Time
t
REA
-
-
30/35
(1)
40
ns
CE Access Time
t
CEA
-
-
45
55
ns
RE High to Output Hi-Z
t
RHZ
-
-
30
30
ns
CE High to Output Hi-Z
t
CHZ
-
-
20
20
ns
RE or CE High to Output hold
t
OH
15
15
-
-
ns
RE High Hold Time
t
REH
15
20
-
-
ns
Output Hi-Z to RE Low
t
IR
0
0
-
-
ns
WE High to RE Low
t
WHR1
60
60
-
-
ns
WE High to RE Low in Block Lcok Mode
t
WHR2
100
100
-
-
ns
Device Resetting Time
(Read/Program/Erase)
t
RST
-
-
5/10/500
(2)
5/10/500
(2)
μ
s
Symbol
Min
Max
Uni
K9F5608U0C-
Y,P,V,F or
K9F5608D0C-
Y,P only
Last RE High to Busy(at sequential read)
t
RB
-
100
ns
CE High to Ready(in case of interception by CE at
t
CRY
-
50 +tr(R/B)
(3)
ns
CE High Hold Time(at the last serial read)
(4)
t
CEH
100
-
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F5616D0C-P | 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616D0C-Y | 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608D0C-D | TV 37C 37#16 SKT RECP |
| K9F5608D0C-H | TV 37C 37#16 PIN RECP |
| K9F5608D0C-P | TV 37C 37#16 PIN RECP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F5616D0C-P | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616D0C-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616Q0B-DCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616Q0B-DIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616Q0B-HCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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