參數(shù)資料
型號(hào)： K9F5616U0C-D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
中文描述： 512Mb/256Mb 1.8 NAND閃存勘誤表
文件頁數(shù)： 4/39頁
文件大?。?/td> 655K
代理商： K9F5616U0C-D
K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FLASH MEMORY
3
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
PIN CONFIGURATION (TSOP1)
K9F56XXU0C-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0
N.C
R/B
CE
Vcc
Vss
ALE
WE
Vss
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
N.C
CE
Vcc
Vss
ALE
WE
N.C
X8
X16
X16
X8
PACKAGE DIMENSIONS
48-PIN LEAD/LEAD FREE PLASTIC THIN SMALL OUT-LINE PACKAGE TYPE(I)
48 - TSOP1 - 1220F
Unit :mm/Inch
0.787
±
0.008
20.00
±
0.20
#1
#24
0
+
-
0
+
-
0
0
#48
#25
0
1M
1
0
0
0
0
(
0
)
0.039
±
0.002
1.00
±
0.05
0.05MIN
1.20MAX
0.45~0.75
0.018~0.030
0.724
±
0.004
18.40
±
0.10
0~8
0
0T
0
+
0
0
+
-
0.50
0.020
(
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9F5616U0C-H 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5616U0C-P 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5616U0C-Y 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5608Q0C-DCB0 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5608Q0C-DIB0 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K9F5616U0C-DCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5616U0C-DIB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5616U0C-H 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5616U0C-HCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5616U0C-HIB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
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