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參數(shù)資料
| 型號： | K9F5616U0C-Y |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| 中文描述： | 512Mb/256Mb 1.8 NAND閃存勘誤表 |
| 文件頁數(shù)： | 26/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 655K |
| 代理商： | K9F5616U0C-Y |
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K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FLASH MEMORY
25
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
MANUFACTURE & DEVICE ID READ OPERATION
CE
CLE
WE
ALE
RE
90h
Read ID Command
Maker Code
Device Code
00h
t
REA
Address. 1cycle
t
AR
I/Ox
ECh
Device
Code*
Device
Device Code*
K9F5608Q0C
35h
K9F5608U0C
75h
K9F5616Q0C
XX45h
K9F5616U0C
XX55h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F5608Q0C-DCB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608Q0C-DIB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608Q0C-HCB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608Q0C-HIB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608U0C-DCB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F5616U0C-YCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616U0C-YIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F56XXQ0C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F6408Q0C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8 Bit Bit NAND Flash Memory |
| K9F6408Q0C-B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8 Bit Bit NAND Flash Memory |
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