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參數(shù)資料
| 型號： | K9F6408U0C-V |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 8米× 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 30/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 784K |
| 代理商： | K9F6408U0C-V |
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FLASH MEMORY
30
K9F6408U0C
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 2V. WP pin provides hardware protection and is recommended to be kept at V
IL
during power-up and power-down and recovery time of minimum 10
μ
s is required before internal circuit gets ready for any command
sequences as shown in Figure 12. The two step command sequence for program/erase provides additional software protection.
Figure 12. AC Waveforms for Power Transition
V
CC
WP
High
≈
≈
WE
Data Protection & Powerup sequence
3.3V device : ~ 2.5V
3.3V device : ~ 2.5V
10
μ
s
≈
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F6408U0C | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1208D0C | TV 37C 37#16 SKT RECP |
| K9K1216Q0C | SCSI 2 MALE-MALE 3 FT |
| K9K1216U0C | M1 - DVI-D W/USB 10 FEET |
| K9K1216D0C | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F6408U0M-TCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F6408U0M-TIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F8008W0M- | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 8 bit NAND Flash Memory |
| K9F8008W0M-TCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 8 bit NAND Flash Memory |
| K9F8008W0M-TIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 8 bit NAND Flash Memory |
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