參數(shù)資料
型號(hào)： K9K1208Q0C
廠(chǎng)商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory
中文描述： 6400 × 8位，32 × 16位NAND閃存
文件頁(yè)數(shù)： 12/39頁(yè)
文件大?。?/td> 953K
代理商： K9K1208Q0C
FLASH MEMORY
12
K9K1216D0C
K9K1216U0C
K9K1208D0C
K9K1208U0C
K9K1208Q0C
K9K1216Q0C
PROGRAM/ERASE CHARACTERISTICS
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Program Time
t
PROG
-
200
500
μ
s
Dummy Busy Time for the Lock or Lock-tight Block
t
LBSY
-
5
10
μ
s
Number of Partial Program Cycles
in the Same Page
Main Array
Nop
-
-
2
cycles
Spare Array
-
-
3
cycles
Block Erase Time
t
BERS
-
2
3
ms
AC TIMING CHARACTERISTICS FOR COMMAND / ADDRESS / DATA INPUT
NOTE
: 1. If tCS is set less than 10ns, tWP must be minimum 35ns, otherwise, tWP may be minimum 25ns.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
K9K1208X0C
K9K12XXD0C
K9K12XXU0C
K9K1216Q0C
K9K1208X0C
K9K12XXD0C
K9K12XXU0C
K9K1216Q0C
CLE setup Time
t
CLS
0
0
-
-
ns
CLE Hold Time
t
CLH
10
10
-
-
ns
CE setup Time
t
CS
0
0
-
-
ns
CE Hold Time
t
CH
10
10
-
-
ns
WE Pulse Width
t
WP
25
(1)
40
-
-
ns
ALE setup Time
t
ALS
0
0
-
-
ns
ALE Hold Time
t
ALH
10
10
-
-
ns
Data setup Time
t
DS
20
20
-
-
ns
Data Hold Time
t
DH
10
10
-
-
ns
Write Cycle Time
t
WC
50
60
-
-
ns
WE High Hold Time
t
WH
15
20
-
-
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9K1208U0C 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K1G08B0B 128M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K1G08R0B 128M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K1G08U0B 128M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K1G08Q0A 128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K9K1208Q0C-DIB0T00 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K9K1208U0A-YCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K1208U0A-YIB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K1208U0C 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K1208U0M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory
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