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參數(shù)資料
| 型號： | K9K1216Q0C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | SCSI 2 MALE-MALE 3 FT |
| 中文描述： | 6400 × 8位，32 × 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 10/39頁 |
| 文件大小： | 953K |
| 代理商： | K9K1216Q0C |
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FLASH MEMORY
10
K9K1216D0C
K9K1216U0C
K9K1208D0C
K9K1208U0C
K9K1208Q0C
K9K1216Q0C
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS
(Recommended operating conditions otherwise noted.)
Parameter
Symbol
Test Conditions
K9K12XXX0C
Unit
1.8V
2.65V
3.3V
Min
Typ Max
Min
Typ Max Min
Typ Max
Operat-
ing
Current
Sequential
Read
I
CC
1
tRC=50ns, CE=V
IL
I
OUT
=0mA
-
10
20
-
10
20
-
10
30
mA
Program
I
CC
2
-
-
10
20
-
10
20
-
10
40
Erase
I
CC
3
-
-
10
20
-
10
20
-
10
40
Stand-by Current(TTL)
I
SB
1
CE=V
IH
, WP=LOCKPRE=0V/V
CC
-
-
1
-
-
1
-
-
1
Stand-by Cur-
rent(CMOS)
I
SB
2
CE=V
CC
-0.2, WP=LOCKPRE=0V/V
CC
-
10
50
-
10
50
-
10
50
μ
A
Input Leakage Current
I
LI
V
IN
=0 to Vcc(max)
-
-
±
10
-
-
±
10
-
-
±
10
Output Leakage Current
I
LO
V
OUT
=0 to Vcc(max)
-
-
±
10
-
-
±
10
-
-
±
10
Input High Voltage
V
IH*
I/O pins
V
CCQ
-0.4
-
V
CCQ
+0.3
V
CCQ
-0.4
-
V
CCQ
+0.3
2.0
-
V
CCQ
+0.3
V
Except I/O pins
V
CC
-0.4
-
Vcc
+0.3
V
CC
-0.4
-
V
CC
+0.3
2.0
-
V
CC
+0.3
Input Low Voltage, All
inputs
V
IL*
-
-0.3
-
0.4
-0.3
-
0.5
-0.3
-
0.8
Output High Voltage
Level
V
OH
K9K12XXQ0C :I
OH
=-100
μ
A
K9K12XXD0C :I
OH
=-100
μ
A
K9K12XXU0C :I
OH
=-400
μ
A
V
CCQ
-0.1
-
-
V
CCQ
-0.4
-
-
2.4
-
-
Output Low Voltage
Level
V
OL
K9K12XXQ0C :I
OL
=100uA
K9K12XXD0C :I
OL
=100
μ
A
K9K12XXU0C :I
OL
=2.1mA
-
-
0.1
-
-
0.4
-
-
0.4
Output Low Current(R/B) I
OL
(R/B)
K9K12XXQ0C :V
OL
=0.1V
K9K12XXD0C :V
OL
=0.1V
K9K12XXU0C :V
OL
=0.4V
3
4
-
3
4
-
8
10
-
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K1216U0C | M1 - DVI-D W/USB 10 FEET |
| K9K1216D0C | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1208Q0C | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1208U0C | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G08B0B | 128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9K1216U0C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G08B0B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G08Q0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G08R0B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G08U0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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