- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373088 > K9K1216U0C (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) M1 - DVI-D W/USB 10 FEET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9K1216U0C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | M1 - DVI-D W/USB 10 FEET |
| 中文描述： | 6400 × 8位，32 × 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 13/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 953K |
| 代理商： | K9K1216U0C |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁當(dāng)前第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁
FLASH MEMORY
13
K9K1216D0C
K9K1216U0C
K9K1208D0C
K9K1208U0C
AC CHARACTERISTICS FOR OPERATION
K9K1208Q0C
K9K1216Q0C
NOTE
: 1. K9F5608Q0C tREA = 35ns.
2. If reset command(FFh) is written at Ready state, the device goes into Busy for maximum 5us.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
K9K1208X0C
K9K12XXD0C
K9K12XXU0C
K9K1216Q0C
K9K1208X0C
K9K12XXD0C
K9K12XXU0C
K9K1216Q0C
Data Transfer from Cell to Register
t
R
-
-
10
10
μ
s
ALE to RE Delay
t
AR
10
10
-
-
ns
CLE to RE Delay
t
CLR
10
10
-
-
ns
Ready to RE Low
t
RR
20
20
-
-
ns
RE Pulse Width
t
RP
25
40
-
-
ns
WE High to Busy
t
WB
-
-
100
100
ns
Read Cycle Time
t
RC
50
60
-
-
ns
RE Access Time
t
REA
-
-
30/35
(1)
40
ns
CE Access Time
t
CEA
-
-
45
55
ns
RE High to Output Hi-Z
t
RHZ
-
-
30
30
ns
CE High to Output Hi-Z
t
CHZ
-
-
20
20
ns
RE or CE High to Output hold
t
OH
15
15
-
-
ns
RE High Hold Time
t
REH
15
20
-
-
ns
Output Hi-Z to RE Low
t
IR
0
0
-
-
ns
WE High to RE Low
t
WHR1
60
60
-
-
ns
WE High to RE Low in Block Lcok
t
WHR2
100
100
-
-
ns
Device Resetting Time
(Read/Program/Erase)
t
RST
-
-
5/10/500
(2)
5/10/500
(2)
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K1216D0C | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1208Q0C | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1208U0C | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G08B0B | 128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G08R0B | 128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9K1G08B0B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G08Q0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G08R0B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G08U0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G08U0A1 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。