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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9K2G08U0M-VIB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 256M × 8位/ 128M的× 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 21/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 734K |
| 代理商： | K9K2G08U0M-VIB0 |
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FLASH MEMORY
21
K9K2G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
Read Operation
(Intercepted by CE)
CE
CLE
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WE
ALE
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Busy
00h
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Dout N+1
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Column Address
t
WB
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CHZ
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OH
t
R
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RR
t
RC
30h
Read Operation
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
Busy
00h
Col. Add1
Col. Add2
Row Add1
Dout N
Dout N+1
Column Address
Row Address
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WB
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RC
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RHZ
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RR
Dout M
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WC
≈
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Row Add2
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CLR
I/Ox
I/Ox
Col. Add1
Col. Add2
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Row Add3
Row Add3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K2G08U0M-YIB0 | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G16Q0M-PCB0 | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G16Q0M-P | ULTRA2 LVD SCSI INTERNAL CBL 3 |
| K9K2G16Q0M-Y | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G16U0M | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9K2G08U0M-YCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08U0M-YIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08U1A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08X0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9K2G08X0A-J | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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