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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216D2A-DIB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 56/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216D2A-DIB6 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
56
The device bus operations are shown in the table below.
Note : L=V
IL
(Low), H=V
IH
(High), X=Don’t Care.
Operation
CE
OE
WE
ADD0~15
DQ0~15
RP
CLK
AVD
Standby
H
X
X
X
High-Z
H
X
X
Warm Reset
X
X
X
X
High-Z
L
X
X
Asynchronous Write
L
H
L
Add. In
Data In
H
L
X
Asynchronous Read
L
L
H
Add. In
Data Out
H
L
or L
Load Initial Burst Address
L
H
H
Add. In
X
H
Burst Read
L
L
H
X
Burst Data
Out
H
Terminate Burst Read
Cycle
H
X
H
X
High-Z
H
X
X
Terminate Burst Read
Cycle via RP
X
X
X
X
High-Z
L
X
X
Terminate Current Burst
Read Cycle and Start
New Burst Read Cycle
H
H
Add In
High-Z
H
X
3.2 Device Bus Operation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216D2A-DID5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-DID6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FEB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FEB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FED5 | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216D2A-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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