參數(shù)資料
型號(hào)： KFG1216D2M-DED
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁數(shù)： 11/93頁
文件大?。?/td> 1219K
代理商： KFG1216D2M-DED
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
11
5. BLOCK DIAGRAM
BootRAM
H
CLK
CE
OE
WE
RP
AVD
StateMachine
Bootloader
Internal Registers
(Address/Command/Configuration
/Status Registers)
Error
Correction
Logic
INT
- Host Interface
- BufferRAM(BootRAM, DataRAM)
- Command and status registers
- State Machine (Bootloader is included)
- Error Correction Logic
- Memory(NAND Flash Array, OTP)
NOTE:
1) At cold reset, bootloader copies boot code(1K byte size) from NAND Flash Array to BootRAM.
DataRAM
BufferRAM
NAND Flash
Array
OTP
(One Block)
RDY
Figure 1. Internal Block Diagram
A15~A0
DQ15~DQ0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFG1216D2M-DIB FLASH MEMORY
KFG1216D2M-DID FLASH MEMORY
KFG1216Q2M-DED FLASH MEMORY
KFG1216Q2M-DIB FLASH MEMORY
KFG1216Q2M-DID FLASH MEMORY
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參數(shù)描述
KFG1216D2M-DIB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1216D2M-DID 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1216Q2A 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1216Q2A-DEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1216Q2A-DEB5(6)000 制造商:Samsung 功能描述:KFG1216Q2A-DEB5(6)000 - Trays
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