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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1216D2M-DED |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 90/93頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFG1216D2M-DED |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
90
Program Command Sequence (last two cycles)
A0:A15
WE
CE
CLK
t
DS
t
DH
t
CH
t
WPL
t
CS
t
WPH
t
WC
SA
SA
ProIn
Complete
AA
DQ0-DQ15
OE
Read Status Data
NOTES:
1. AA = Address of address register
CA = Address of command register
PCD = Program Command
PMA = Address of memory to be programmed
BA = Address of BufferRAM to load the data
BD = Program Data
SA = Address of status register
2. “In progress” and “complete” refer to status register
3. Status reads in this figure is asynchronous read, but status read in synchronous mode is also supported.
Figure 37 . Program Operation Timing
SWITCHING WAVEFORMS
V
IL
Program Operations
≈
≈
≈
≈
AVD
BA
CA
PCD
PMA
BD
t
AAVDH
t
AAVDS
t
PGM
INT
bit
t
AVDP
t
VLWH
t
WEA
≈
≈
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216D2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DID | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216D2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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