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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216Q2A-DED6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 72/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216Q2A-DED6 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
72
There are multiple methods for erasing data in the device including Block Erase and Multi-Block Erase.
3.10.1 Block Erase Operation
See Timing Diagram 6.10
The device can be erased one block at a time. To erase a block is to write all 1's into the desired memory block by executing the Inter-
nal Erase Routine. All previous data is lost.
Block Erase Operation Flow Chart
Start
Write ’FBA’ of Flash
Add: F100h DQ=FBA
Write ’Erase’ Command
Add: F220h DQ=0094h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ=[15]=INT
Add: F240h DQ[10]=Error
Erase completed
DQ[10]=0
YES
Erase Error
NO
Read Controller
Status Register
: If erase operation results in an error, map out
*
the failing block and replace it with another block.
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
3.10 Erase Operation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-DIB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DIB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DID5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DID6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB5 | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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