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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216Q2A-FEB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 100/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216Q2A-FEB6 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
100
NOTES:
1. AA = Address of address register
CA = Address of command register
LCD = Load Command
LMA = Address of memory to be loaded
BA = Address of BufferRAM to load the data
BD = Program Data
SA = Address of status register
2. “In progress” and “complete” refer to status register
3. Status reads in this figure is asynchronous read, but status read in synchronous mode is also supported.
Load Command Sequence
A0:A15
WE
CE
CLK
t
DS
t
DH
t
CH
t
WPL
t
CS
t
WPH
t
WC
CA
BA
BA
LCD
LMA
AA
DQ0-DQ15
OE
Read Data
V
IL
≈
≈
≈
≈
Da
Da+1
t
AH
t
AWES
INT
t
RD
t
CH
t
CS
6.8 Load Operation Timing
See AC Characteristics Tables 5.7 and 5.8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-FED5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DED5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DED6 | FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-FED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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