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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1216Q2A-FEB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 97/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216Q2A-FEB6 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
97
6.4 Asynchronous Read
(VA and AVD Transition After CE Low)
See AC Characteristics Table 5.5
NOTE:
VA=Valid Read Address, RD=Read Data.
t
OE
VA
Valid RD
t
CE
t
OEZ
CE
OE
WE
A0-A15
CLK
V
IL
AVD
Hi-Z
Hi-Z
RDY
t
AVDP
t
AAVDH
DQ0-DQ15
t
CEZ
NOTE:
VA=Valid Read Address, RD=Read Data.
t
OE
VA
Valid RD
t
OEZ
CE
OE
WE
A0-A15
CLK
V
IL
AVD
t
AA
Hi-Z
Hi-Z
RDY
t
AVDP
t
AAVDH
DQ0-DQ15
t
WEA
t
CEZ
6.3 Asynchronous Read
(VA and AVD Transition Before CE Low)
See AC Characteristics Table 5.5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-FED5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DED5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DED6 | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-FED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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