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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216Q2M-DIB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 44/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFG1216Q2M-DIB |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
44
NAND Flash Core Reset
Host can reset NAND Flash Core operation by NAND Flash Core reset command. NAND Flash Core Reset will abort the current
NAND Flash core operation. During a NAND Flash Core Reset, the content of memory cellls being altered is no longer valid as the
data will be partially programmed or erased. NAND Flash Core Reset has an effect on neither contents of BootRAM and DataRAM
nor register values.
Figure 8. NAND Flash Core Reset Timings
AVD
INT
WE
CE
F220h
RDY
Operation or Idle
NAND Flash Core reset
Idle
OneNAND
Operation
High-Z
00F0h
A0~A15
DQ0~DQ15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG1G16D2M-DEB | RSM, TKF 15K 1/16W 5% 040 |
| KFG1G16D2M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16D2M-DEB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16D2M-DED | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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