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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216Q2M-DIB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 83/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFG1216Q2M-DIB |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
83
Asynchronous write operation
Parameter
Symbol
KFG1216X2M/KFH1G16X2M
Unit
Min
Typ
Max
WE Cycle Time
t
WC
70
-
-
ns
AVD low pulse width
t
AVDP
12
-
-
ns
Address Setup to rising edge of AVD
t
AAVDS
7
-
-
ns
Address Setup to falling edge of WE
t
AWES
0
Address Hold to rising edge of AVD
t
AAVDH
7
-
-
ns
Address Hold to falling edge of WE
t
AH
10
ns
Data Setup to rising edge of WE
t
DS
10
-
-
ns
Data Hold from rising edge of WE
t
DH
4
-
-
ns
CE Setup to falling edge of WE
t
CS
0
-
-
ns
CE Hold from rising edge of WE
AVD toggled
t
CH1
0
-
-
ns
CE Hold from rising edge of WE
AVD tied to CE
t
CH2
10
-
-
ns
WE Pulse Width
t
WPL
40
-
-
ns
WE Pulse Width High
t
WPH
30
-
-
ns
AVD Disable to WE Disable
t
VLWH
15
-
-
ns
WE Disable to AVD Enable
t
WEA
15
-
-
ns
AC CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG1G16D2M-DEB | RSM, TKF 15K 1/16W 5% 040 |
| KFG1G16D2M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16D2M-DEB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16D2M-DED | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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