- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄373124 > KFG1216U2A-FIB5 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) FLASH MEMORY PDF資料下載
參數資料
| 型號： | KFG1216U2A-FIB5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數： | 62/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216U2A-FIB5 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁當前第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁
OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
62
Data Protection Operation Flow Diagram
Start
Write ’SBA’ of Flash
Add: F24Ch DQ=SBA
Lock/Unlock/Lock-Tight
completed
Write ’lock/unlock/lock-tight’
Command
Add: F220h
DQ=002Ah/0023h/002Ch
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ[15]=INT
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Note) Samsung strongly recommend to follow the above flow chart
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216U2A-FIB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FID5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FID6 | FLASH MEMORY |
| KFG1G1612M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G1612M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KFG1216U2A-FIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2B-DIB6 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFG1216U2M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。