參數(shù)資料
型號(hào)： KFG1216U2M-DEB
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁(yè)數(shù)： 63/93頁(yè)
文件大小： 1219K
代理商： KFG1216U2M-DEB
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
63
Data Protection during Power Down
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 1.3V. RP pin provides hardware protection and is recommended to be kept at V
IL
before power-down.
V
CC
RP
NAND Flash Core
Write Protected
Idle
OneNAND Reset
INT
OneNAND
Operation
typ. 1.3V
0V
Figure 21. Data Protection during Power Down
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFH1216U2M-DEB FLASH MEMORY
KFG1216U2M-DED FLASH MEMORY
KFH1216U2M-DED FLASH MEMORY
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參數(shù)描述
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KFG1G1612M-DEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G1612M-DED5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
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