參數(shù)資料
型號(hào)： KFG1G16D2M-DEB6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁(yè)數(shù)： 53/93頁(yè)
文件大?。?/td> 1219K
代理商： KFG1G16D2M-DEB6
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
53
Addressing for program operation
Within a block, the pages must be programmed consecutively from the LSB (least significant bit) page of the block to MSB (most sig-
nificant bit) pages of the block. Random page address programming is prohibited.
From the LSB page to MSB page
DATA IN: Data (1)
Data (64)
(1)
(2)
(3)
(32)
(64)
Data register
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Ex.) Random page program (Prohibition)
DATA IN: Data (1)
Data (64)
(2)
(32)
(3)
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Data register
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFG1G16D2M-DED FLASH MEMORY
KFG1G16D2M-DED5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16D2M-DED6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16D2M-DIB FLASH MEMORY
KFG1G16D2M-DIB6 FLASH MEMORY(54MHz)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFG1G16D2M-DED 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1G16D2M-DED5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16D2M-DED6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16D2M-DIB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1G16D2M-DIB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
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