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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1G16Q2M-DED |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 116/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1632K |
| 代理商： | KFG1G16Q2M-DED |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB6)
FLASH MEMORY
116
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB6)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB6)
6.15 Data Protection Timing During Power Down
V
CC
RP
NAND Write
Protected
Idle
One NAND Reset
INT
OneNAND
Operation
typ. 1.3V
0V
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 1.3V. RP pin provides hardware protection and is recommended to be kept at V
IL
before power-down.
6.14 NAND Flash Core Reset Timing
AVD
CE
F220h
RDY
Operation or Idle
NAND Flash Core reset
Idle
OneNAND
Operation
High-Z
00F0h
A0~A15
DQ0~DQ15
INT
bit
WE
OE
t
Ready
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG2816D1M-PID | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DEB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DED | OneNAND SPECIFICATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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