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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG2816D1M-DEB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | OneNAND SPECIFICATION |
| 中文描述： | OneNAND的規(guī)格 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 81/87頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1175K |
| 代理商： | KFG2816D1M-DEB |
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OneNAND128
FLASH MEMORY
81
Performance
NOTES:
1. These parameters are tested based on INT bit of interrupt register. Because the time on INT pin is related to the pull-up and pull-
down resistor value. Please refer to page 66 and 67.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Sector Load time(Note 1)
t
RD1
-
35
45
μ
s
Page Load time(Note 1)
t
RD2
-
50
75
μ
s
Sector Program time(Note 1)
t
PGM1
-
320
720
μ
s
Page Program time(Note 1)
t
PGM2
-
350
750
μ
s
OTP Access Time(Note 1)
t
OTP
-
600
1000
ns
Lock/Unlock/Lock-tight Time(Note 1)
t
LOCK
-
600
1000
ns
Erase Suspend Time(Note 1)
t
ESP
-
400
500
μ
s
Erase Resume Time(Note 1)
1 Block
t
ERS1
-
2
3
ms
2~64 Blocks
t
ERS2
4
5
ms
Number of Partial Program Cycles in the sector
(Including main and spare area)
NOP
-
-
2
cycles
Block Erase time (Note 1)
1 Block
t
BERS1
-
2
3
ms
2~64 Blocks
t
BERS2
-
4
5
ms
Multi BlocK Erase Verify Read time(Note 1)
t
RD3
-
115
135
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG2816D1M-DED | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-DIB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-DID | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-PEB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-PED | OneNAND SPECIFICATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG2816D1M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-PEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-PED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND SPECIFICATION |
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