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參數資料
| 型號： | KFG2816U1M-PID |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | OneNAND SPECIFICATION |
| 中文描述： | OneNAND的規(guī)格 |
| 文件頁數： | 16/87頁 |
| 文件大小： | 1175K |
| 代理商： | KFG2816U1M-PID |
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OneNAND128
FLASH MEMORY
16
Detailed information of Address Map (word order)
-0000h~01FFh: 2(sector) x 512byte(NAND main area) = 1KB
0000h~00FFh(512B)
BootM 0
(sector 0 of page 0)
0100h~01FFh(512B)
BootM 1
(sector 1 of page 0)
BootRAM(Main area)
-0200h~05FFh: 4(sector) x 512byte(NAND main area) = 2KB
0200h~02FFh(512B)
DataM 0_0
(sector 0 of page 0)
0300h~03FFh(512B)
DataM 0_1
(sector 1 of page 0)
0400h~04FFh(512B)
DataM 1_0
(sector 0 of page 1)
0500h~05FFh(512B)
DataM 1_1
(sector 1 of page 1)
DataRAM(Main area)
-8000h~800Fh: 2(sector) x 16byte(NAND spare area) = 32B
8000h~8007h(16B)
BootS 0
(sector 0 of page 0)
8008h~800Fh(16B)
BootS 1
(sector 1 of page 0)
BootRAM(Spare area)
-8010h~802Fh: 4(sector) x 16byte(NAND spare area) = 64B
*NAND Flash array consists of 1KB page size and 64KB block size.
8010h~8017h(16B)
DataS 0_0
(sector 0 of page 0)
8018h~801Fh(16B)
DataS 0_1
(sector 1 of page 0)
8020h~8027h(16B)
DataS 1_0
(sector 0 of page 1)
8028h~802Fh(16B)
DataS 1_1
(sector 1 of page 1)
DataRAM(Spare area)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG2816D1M-DEB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-DED | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-DIB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-DID | OneNAND SPECIFICATION |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| KFG2G16D2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16D2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16D2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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