- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373129 > KFG2816U1M-PID (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) OneNAND SPECIFICATION PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KFG2816U1M-PID |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | OneNAND SPECIFICATION |
| 中文描述： | OneNAND的規(guī)格 |
| 文件頁數(shù)： | 78/87頁 |
| 文件大?。?/td> | 1175K |
| 代理商： | KFG2816U1M-PID |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁當前第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁
OneNAND128
FLASH MEMORY
78
Figure 35. Asynchronous Write Mode(AVD toggling)
Case 2 : AVD is synchronized with CE
NOTE:
VA=Valid Read Address, WD=Write Data.
AVD
CE
WE
OE
t
CS
Valid WD
t
DS
Valid WD
t
WPL
t
WPH
t
WC
t
DH
VA
RDY
Hi-Z
Hi-Z
A0-A15
DQ0-DQ15
CLK
V
IL
t
CH2
t
AWES
t
AH
VA
t
CH2
t
CS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG2816D1M-DEB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-DED | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-DIB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-DID | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-PEB | OneNAND SPECIFICATION |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG2G1612M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G1612M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16D2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16D2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16D2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。