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參數(shù)資料
| 型號： | KFG4G16Q2M-DID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 37/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFG4G16Q2M-DID6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁當前第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
37
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
The tables below show Word Order Address Map information for the BootRAM and DataRAM main and spare areas.
-0000h~01FFh: 2(sector) x 512byte(NAND main area) = 1KB
0000h~00FFh(512B)
BootM 0
(sector 0 of page 0)
0100h~01FFh(512B)
BootM 1
(sector 1 of page 0)
BootRAM(Main area)
-0200h~09FFh: 8(sector) x 512byte(NAND main area) = 4KB
0200h~02FFh(512B)
DataM 0_0
(sector 0 of page 0)
0300h~03FFh(512B)
DataM 0_1
(sector 1 of page 0)
0400h~04FFh(512B)
DataM 0_2
(sector 2 of page 0)
0500h~05FFh(512B)
DataM 0_3
(sector 3 of page 0)
0600h~06FFh(512B)
DataM 1_0
(sector 0 of page 1)
0700h~07FFh(512B)
DataM 1_1
(sector 1 of page 1)
0800h~08FFh(512B)
DataM 1_2
(sector 2 of page 1)
0900h~09FFh(512B)
DataM 1_3
(sector 3 of page 1)
DataRAM(Main area)
-8000h~800Fh: 2(sector) x 16byte(NAND spare area) = 32B
8000h~8007h(16B)
BootS 0
(sector 0 of page 0)
8008h~800Fh(16B)
BootS 1
(sector 1 of page 0)
BootRAM(Spare area)
-8010h~804Fh: 8(sector) x 16byte(NAND spare area) = 128B
*NAND Flash array consists of 2KB page size and 128KB block size.
8010h~8017h(16B)
DataS 0_0
(sector 0 of page 0)
8018h~801Fh(16B)
DataS 0_1
(sector 1 of page 0)
8020h~8027h(16B)
DataS 0_2
(sector 2 of page 0)
8028h~802Fh(16B)
DataS 0_3
(sector 3 of page 0)
8030h~8037h(16B)
DataS 1_0
(sector 0 of page 1)
8038h~803Fh(16B)
DataS 1_1
(sector 1 of page 1)
8040h~8047h(16B)
DataS 1_2
(sector 2 of page 1)
8048h~804Fh(16B)
DataS 1_3
(sector 3 of page 1)
DataRAM(Spare area)
2.7.4 External Memory Detail Map Information
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG4G16U2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW2G16U2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW2G16U2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G1612M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16D2M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG4G16U2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG4G16U2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG4G16U2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG4G16U2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG4G16U2M-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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