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參數(shù)資料
| 型號： | KFG4G16Q2M-DID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 60/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFG4G16Q2M-DID6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁當(dāng)前第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
60
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
2.8.25 NAND Flash Write Protection Status Register F24Eh (R)
This Read register shows the Write Protection Status of the NAND Flash memory array.
To read the write protection status, FBA has to be set before reading the register
.
F24Eh, default = 0002h
Write Protection Status Information[2:0]
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved(0000000000000)
US
LS
LTS
Item
Bit
Definition
Description
US
2
Unlocked Status
1 = current NAND Flash block is unlocked
LS
1
Locked Status
1 = current NAND Flash block is locked
LTS
0
Locked-Tight Status
1 = current NAND Flash block is locked-tight
This register is reserved for future use.
2.8.26 ECC Status Register FF00h (R)
This Read register shows the Error Correction Status. The OneNAND can detect 1- or 2-bit errors and correct 1-bit errors. 3-bit or
more error detection and correction is not supported.
ECC can be performed on the NAND Flash main and spare memory areas. The ECC status register can also show the number of
errors in a sector as a result of an ECC check in during a load operation. ECC status bits are also updated during a boot loading oper-
ation.
FF00h, default = 0000h
Error Status
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
ERm3
ERs3
ERm2
ERs2
ERm1
ERs1
ERm0
ERs0
ERm, ERs
ECC Status
00
No Error
01
1-bit error(correctable)
10
2 bits error (uncorrectable)
11
Reserved
2.8.24 End Block Address Register F24Dh
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG4G16U2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW2G16U2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW2G16U2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G1612M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16D2M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG4G16U2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG4G16U2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG4G16U2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG4G16U2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG4G16U2M-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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