- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373130 > KFH1216D2M-DED (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) FLASH MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFH1216D2M-DED |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 80/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFH1216D2M-DED |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁當(dāng)前第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
80
AC CHARACTERISTICS
Asynchronous Read
NOTE:
1. If OE is disabled before CE is disabled, the output will go to high-z by t
OEZ
(max. 17ns).
If CE is disabled before OE is disabled, the output will go to high-z by t
CEZ
(max. 20ns).
If CE and OE are disabled at the same time, the output will go to high-z by t
OEZ
(max. 17ns).
These parameters are not tested 100%.
Parameter
Symbol
KFG1216X2M/KFH1G16X2M
Unit
Min
Max
Access Time from CE Low
t
CE
-
76
ns
Asynchronous Access Time from AVD Low
t
AA
-
76
ns
Asynchronous Access Time from address valid
t
ACC
-
76
ns
Read Cycle Time
t
RC
76
-
ns
AVD Low Time
t
AVDP
12
-
ns
Address Setup to rising edge of AVD
t
AAVDS
7
-
ns
Address Hold from rising edge of AVD
t
AAVDH
7
-
ns
Output Enable to Output Valid
t
OE
-
20
ns
WE Disable to AVD Enable
t
WEA
15
-
ns
CE Setup to AVD falling edge
t
CA
0
-
ns
CE Disable to Output & RDY High Z
1)
t
CEZ
-
20
ns
OE Disable to Output & RDY High Z
1)
t
OEZ
-
17
ns
SWITCHING WAVEFORMS
Figure 28 . Asynchronous Read Mode(AVD toggling)
NOTE:
VA=Valid Read Address, RD=Read Data.
t
OE
VA
Valid RD
t
CE
t
OEZ
CE
OE
WE
A0-A15
CLK
V
IL
AVD
Hi-Z
Hi-Z
RDY
t
AVDP
t
AAVDH
DQ0-DQ15
t
CEZ
Case 1 : Valid Address and AVD Transition occur before CE is driven to Low
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1216D2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFH1216D2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFH1216Q2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFH1216Q2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFH1216Q2M-DID | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH1216D2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1216D2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1216Q2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1216Q2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1216Q2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。