參數(shù)資料
型號: KFH1216D2M-DED
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: FLASH MEMORY
中文描述: 閃存
文件頁數(shù): 86/93頁
文件大?。?/td> 1219K
代理商: KFH1216D2M-DED
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
86
Figure 34. Asynchronous Write Mode(AVD tied to CE)
Case 3 : AVD is tied to CE
NOTE:
VA=Valid Read Address, WD=Write Data.
CE
or
AVD
WE
OE
t
CS
Valid WD
t
DS
Valid WD
t
WPL
t
WPH
t
WC
t
DH
VA
RDY
Hi-Z
Hi-Z
A0-A15
DQ0-DQ15
CLK
V
IL
t
CH2
t
AWES
t
AH
VA
t
CH2
t
CS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFH1216D2M-DIB FLASH MEMORY
KFH1216D2M-DID FLASH MEMORY
KFH1216Q2M-DED FLASH MEMORY
KFH1216Q2M-DIB FLASH MEMORY
KFH1216Q2M-DID FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFH1216D2M-DIB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFH1216D2M-DID 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFH1216Q2M-DEB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFH1216Q2M-DED 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFH1216Q2M-DIB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY