參數(shù)資料
型號(hào)： KFH1216U2M-DEB
廠(chǎng)商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁(yè)數(shù)： 84/93頁(yè)
文件大小： 1219K
代理商： KFH1216U2M-DEB
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
84
Figure 32. Latched Asynchronous Write Mode(AVD toggling)
CE
WE
OE
t
CS
Valid WD
t
DS
VA
Valid WD
t
WPL
t
WPH
t
WC
t
AAVDS
t
DH
AVD
t
AAVDH
VA
RDY
Hi-Z
Hi-Z
A0-A15
DQ0-DQ15
t
WEA
CLK
V
IL
Case 1 : AVD is toggled every write cycle
NOTE:
VA=Valid Read Address, WD=Write Data.
t
AVDP
t
VLWH
t
CH1
t
CH1
t
CS
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PDF描述
KFG1216U2M-DED FLASH MEMORY
KFH1216U2M-DED FLASH MEMORY
KFH1G16Q2M-DEB FLASH MEMORY
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