參數資料
型號： KFH1G16D2M-DIB6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁數： 47/93頁
文件大小： 1219K
代理商： KFH1G16D2M-DIB6
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
47
Figure 9. State diagram of NAND Flash Write Protection
NOTE:
1. Unlock range(from Start block address to End block address) can be modified by unlock command sequence(Start block address+End block address).
Power On
Start block address End block address
+Unlock block Command (Note 1)
RP pin: High
&
Start block address End block address
+Unlock block Command
RP pin: High
&
Lock block Command
RP pin: High
&
Lock-tight block Command
RP pin: High
&
Cold reset or
Warm reset
unlock
Lock
Lock
Lock-tight
Lock
unlock
Lock
unlock
Lock-tight
Lock
Lock-tight
Lock-tight block Command
RP pin: High
&
Cold reset or
Warm reset
or
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PDF描述
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