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參數(shù)資料
| 型號： | KFH1G16Q2M-DEB5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 81/93頁 |
| 文件大小： | 1219K |
| 代理商： | KFH1G16Q2M-DEB5 |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
81
Figure 29. Asynchronous Read Mode(AVD toggling)
NOTE:
VA=Valid Read Address, RD=Read Data.
t
OE
VA
Valid RD
t
OEZ
CE
OE
WE
A0-A15
CLK
V
IL
AVD
t
AA
Hi-Z
Hi-Z
RDY
t
AVDP
t
AAVDH
DQ0-DQ15
t
WEA
t
CEZ
Case 2 : AVD Transition occurs after CE is driven to Low and Valid Address Transition occurs before AVD is driven to Low
Case 3 : AVD Transition occur after CE is driven to Low and Valid Address Transition occurs after AVD is driven to Low
Figure 30. Asynchronous Read Mode(AVD toggling)
NOTE:
VA=Valid Read Address, RD=Read Data.
t
OE
VA
Valid RD
t
OEZ
CE
OE
WE
A0-A15
t
ACC
CLK
V
IL
AVD
t
AAVDS
Hi-Z
Hi-Z
RDY
t
AVDP
t
AAVDH
DQ0-DQ15
t
WEA
t
CEZ
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1G16Q2M-DEB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1216D2M-DEB | FLASH MEMORY |
| KFH1216D2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFH1216D2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFH1216D2M-DID | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH1G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16Q2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1G16Q2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16Q2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16Q2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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