參數(shù)資料
型號： KFH1G16Q2M-DEB5
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁數(shù)： 88/93頁
文件大?。?/td> 1219K
代理商： KFH1G16Q2M-DEB5
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
88
Performance
NOTES:
These parameters are tested based on INT bit of interrupt register. Because the time on INT pin is related to the pull-up and
pull-down resistor value. Please refer to page 73 and 74.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Sector Load time (Note 1)
t
RD1
-
40
45
μ
s
Page Load time (Note 1)
t
RD2
-
85
100
μ
s
Sector Program time (Note 1)
t
PGM1
-
320
720
μ
s
Page Program time (Note 1)
t
PGM2
-
350
750
μ
s
OTP Access time(Note 1)
t
OTP
-
600
1000
ns
Lock/Unlock/Lock-tight time (Note 1)
t
LOCK
-
600
1000
ns
Number of Partial Program Cycles in the sector
(Including main and spare area)
NOP
-
-
2
cycles
Block Erase time (Note 1)
1 Block
t
BERS1
-
2
3
ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFH1G16Q2M-DEB6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1216D2M-DEB FLASH MEMORY
KFH1216D2M-DED FLASH MEMORY
KFH1216D2M-DIB FLASH MEMORY
KFH1216D2M-DID FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFH1G16Q2M-DEB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16Q2M-DED 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFH1G16Q2M-DED5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16Q2M-DED6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16Q2M-DIB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
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