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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFH1G16U2M-DIB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 84/125頁(yè) |
| 文件大小： | 1657K |
| 代理商： | KFH1G16U2M-DIB6 |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
84
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
After a Multi-Block Erase Operation, verify Erase Operation result of each block with Multi-Block Erase Verify Command combined
with address of each block.
If a failed address is identified, it must be managed in firmware.
Multi Block Erase/ Multi Block Erase Verify Read Flow Chart
Start
Write ’DFS
1)
’, ’FBA’ of Flash
Add: F100h DQ=DFS, FBA
Write ’Multi Block Erase’
Command
Add: F220h DQ=0095h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ=[15]=INT
Final Multi Block
Erase
YES
NO
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Write ’FBA’ of Flash
Add: F100h DQ=FBA
Write ’Block Erase
Command’
Add: F220h DQ=0094h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ=[15]=INT
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Multi Block Erase Verify Read
Write ’FBA’ of Flash
Add: F100h DQ=FBA
Write ’Multi Block Erase
Verify Read Command’
Add: F220h DQ=0071h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ=[15]=INT
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Read Controller
Status Register
Add: F240h DQ[10]=Error
DQ[10]=0
Multi Block Erase completed
Final Multi Block
Erase Address
YES
NO
Erase completed
YES
Erase Error
NO
*DFS is for DDP
Note 1) DFS should be a fixed value, for Multi Block Erase is performed within a single chip.
3.10.3 Multi-Block Erase Verify Read Operation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1G16U2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFH1G16U2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16U2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH1G16U2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1G16U2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16U2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G1612M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G1612M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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