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參數(shù)資料
| 型號： | KFH2G16D2M-DIB5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 82/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFH2G16D2M-DIB5 |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
82
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
There are multiple methods for erasing data in the device including Block Erase and Multi-Block Erase.
3.10.1 Block Erase Operation
See Timing Diagram 6.10
The device can erase one block at a time. To erase a block is to write all 1's into the desired memory block by executing the Internal
Erase Routine. All previous data is lost.
Block Erase Operation Flow Chart
Start
Write ’DFS*, FBA’ of Flash
Add: F100h DQ=DFS*, FBA
Write ’Erase’ Command
Add: F220h DQ=0094h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ=[15]=INT
Add: F240h DQ[10]=Error
Erase completed
DQ[10]=0
YES
Erase Error
NO
Read Controller
Status Register
: If erase operation results in an error, map out
*
the failing block and replace it with another block.
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
DFS* is for DDP
3.10 Erase Operation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH2G16D2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16D2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16D2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16Q2M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16Q2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH2G16D2M-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16D2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16D2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16Q2M-DEB | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFH2G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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