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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFH2G16U2M-DIB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 107/125頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFH2G16U2M-DIB6 |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
107
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
6.4 Asynchronous Read
(VA and AVD Transition After CE Low)
See AC Characteristics Table 5.5
NOTE:
VA=Valid Read Address, RD=Read Data.
t
OE
VA
Valid RD
t
CE
t
OEZ
CE
OE
WE
A0-A15
CLK
V
IL
AVD
Hi-Z
Hi-Z
RDY
t
AVDP
t
AAVDH
DQ0-DQ15
t
CEZ
NOTE:
VA=Valid Read Address, RD=Read Data.
t
OE
VA
Valid RD
t
OEZ
CE
OE
WE
A0-A15
CLK
V
IL
AVD
t
AA
Hi-Z
Hi-Z
RDY
t
AVDP
t
AAVDH
DQ0-DQ15
t
WEA
t
CEZ
6.3 Asynchronous Read
(VA and AVD Transition Before CE Low)
See AC Characteristics Table 5.5
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