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參數(shù)資料
| 型號： | KFH4G16Q2M-DEB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 101/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFH4G16Q2M-DEB6 |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
101
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
Note 1. CE should be VIH for RDY. IOBE should be ’0’ for INT.
Note 2. Icc active for Host access
Note 3. ICC active for Internal operation. (without host access)
Note 4. Vccq is equivalent to Vcc-IO
Parameter
Symbol
Test Conditions
1.8V device
Unit
Min
Typ
Max
Input Leakage Current
I
LI
V
IN
=V
SS
to V
CC
, V
CC
=V
CCmax
Single
- 1.0
-
+ 1.0
μ
A
DDP
-2.0
-
+ 2.0
QDP
-4.0
-
+ 4.0
Output Leakage Current
I
LO
V
OUT
=V
SS
to V
CC
, V
CC
=V
CCmax
,
CE or OE=V
IH
(Note 1)
Single
- 1.0
-
+ 1.0
μ
A
DDP
-2.0
-
+ 2.0
QDP
-4.0
-
+ 4.0
Active Asynchronous Read Cur-
rent (Note 2)
I
CC1
CE=V
IL
, OE=V
IH
-
8
15
mA
Active Burst Read Current (Note
2)
I
CC2
CE=V
IL
, OE=V
IH
54Mhz
-
12
20
mA
1MHz
-
3
4
mA
54Mhz
(DDP/
QDP)
-
17
22
mA
1MHz
(DDP/
QDP)
-
3
4
mA
Active Write Current (Note 2)
I
CC3
CE=V
IL
, OE=V
IH
Single
-
8
15
mA
DDP
-
13
20
mA
Active Load Current (Note 3)
I
CC4
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH
-
30
40
mA
Active Program Current (Note 3)
I
CC5
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH
-
25
30
mA
Active Erase Current (Note 3)
I
CC6
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH
-
20
25
mA
Multi Block Erase Current (Note
3)
I
CC7
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH
, 64blocks
-
20
25
mA
Standby Current
I
SB
CE= RP=V
CC
±
0.2V
Single
-
10
50
μ
A
DDP
-
20
100
QDP
-
40
180
Input Low Voltage
V
IL
-
-0.5
-
0.4
V
Input High Voltage (Note4)
V
IH
-
V
CCq
-0.4
-
V
CCq
+0.
4
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 100
μ
A , V
CC
=V
CCmin
, V
CCq
=V
CCqmin
-
-
0.2
V
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= -100
μ
A , V
CC
=V
CCmin
, V
CCq
=V
CCqmin
V
CCq
-0.1
-
-
V
4.3 DC Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| KFH2G1612M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
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參數(shù)描述 |
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