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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFH4G16Q2M-DEB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 98/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFH4G16Q2M-DEB6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁當(dāng)前第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
98
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
Invalid Block Table Creation Flow Chart
Within its life time, additional invalid blocks may develop with NAND Flash Array memory. Refer to the device's qualification report for
the actual data.
The following possible failure modes should be considered to implement a highly reliable system.
In the case of a status read failure after erase or program, a block replacement should be done. Because program status failure
during a page program does not affect the data of the other pages in the same block, a block replacement can be executed with a
page-sized buffer by finding an erased empty block and reprogramming the current target data and copying the rest of the replaced
block.
Block Failure Modes and Countermeasures
Failure Mode
Detection and Countermeasure sequence
Erase Failure
Status Read after Erase --> Block Replacement
Program Failure
Status Read after Program --> Block Replacement
Single Bit Failure in Load Operation
Error Correction by ECC mode of the device
3.14.2 Invalid Block Replacement Operation
*
Check "FFFFh" at the 1st word of sector 0
of spare area in 1st and 2nd page
Start
Set Block Address = 0
Check
"FFFFh"
Increment Block Address
Last Block
End
No
Yes
Yes
Create (or update)
Invalid Block(s) Table
No
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1G16U2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G1612M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G1612M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16D2M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH4G16Q2M-DEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:4GNOFLASHDX1663 FBGA (10X13) - Bulk |
| KFH4G16Q2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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