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參數資料
| 型號： | KFM2G16Q2M-DEB5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| 中文描述： | MuxOneNAND閃存 |
| 文件頁數： | 69/124頁 |
| 文件大小： | 1550K |
| 代理商： | KFM2G16Q2M-DEB5 |
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MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
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A block that is in a locked-tight state can only be changed to locked state after a Cold or Warm Reset. Unlock and Lock command
sequences will not affect its state. This is an added level of write protection security.
A block must first be set to a locked state before it can be changed to locked-tight using the Lock-tight command. locked-tight blocks
will revert to a locked state following a Cold or Warm Reset.
Lock-Tight Command Sequence:
Start block address+Lock-tight block command (002Ch)
Locked-tight
3.4.4 NAND Flash Array Write Protection State Diagram
Power On
Start block address
+Unlock block Command
RP pin: High
&
Lock block Command
or
RP pin: High
&
Start block address
+Lock-tight block Command
RP pin: High
&
Start block address
Cold reset or
Warm reset
unlock
Lock
Lock
Lock-tight
Lock
Lock
Lock
Cold reset or
Warm reset
3.4.3.3 Locked-tight NAND Array Write Protection State
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFM1G16Q2M-DEB6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN1G16Q2M-DEB6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM2G16Q2M-DEB6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM1G16Q2M-DED5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM1G16Q2M-DED6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KFM2G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM2G16Q2M-DEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:2GB MUXED SLC X16 FBGA - Trays |
| KFM2G16Q2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM2G16Q2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM2GN6Q2B-HEB8T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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