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參數(shù)資料
| 型號： | KFM2G16Q2M-DEB5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| 中文描述： | MuxOneNAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 75/124頁 |
| 文件大小： | 1550K |
| 代理商： | KFM2G16Q2M-DEB5 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁當(dāng)前第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁
MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
75
When the /CE or /OE input is at V
IH
, output from the device is disabled.
The outputs are placed in the high impedance state.
The Program operation is used to program data from the on-chip BufferRAMs into the NAND FLASH memory array.
The device has two 2KB data buffers, each 1 Page (2KB + 64B) in size. Each page has 4 sectors of 512B each main area and 16B
spare area. The device can be programmed in units of 1~4 sectors.
The architecture of the DataRAMs permits a simultaneous data-write operation from the Host to one of data buffers and a program
operation from the other data buffer to the NAND Flash Array memory. Refer to Section 3.12.2, "Write While Program Operation", for
more information.
3.8 Program Operation
See Timing Diagram 6.7
Within a block, the pages must be programmed consecutively from the LSB (least significant bit) page of the block to MSB (most sig-
nificant bit) pages of the block. Random page address programming is prohibited.
From the LSB page to MSB page
DATA IN: Data (1)
Data (64)
(1)
(2)
(3)
(32)
(64)
Data register
Page 0
Page 1
Page 2
Page 31
Page 63
Ex.) Random page program (Prohibition)
DATA IN: Data (1)
Data (64)
(2)
(32)
(3)
(1)
(64)
Data register
Page 0
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Page 63
Addressing for program operation
:
:
:
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3.7.4 Output Disable Mode Operation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFM1G16Q2M-DEB6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN1G16Q2M-DEB6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM2G16Q2M-DEB6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM1G16Q2M-DED5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM1G16Q2M-DED6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFM2G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM2G16Q2M-DEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:2GB MUXED SLC X16 FBGA - Trays |
| KFM2G16Q2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM2G16Q2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM2GN6Q2B-HEB8T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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