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參數(shù)資料
| 型號： | KFW1G16D2M-DIB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 116/125頁 |
| 文件大小： | 1657K |
| 代理商： | KFW1G16D2M-DIB6 |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
116
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
6.15 Data Protection Timing During Power Down
V
CC
RP
NAND Write
Protected
Idle
One NAND Reset
INT
OneNAND
Operation
typ. 1.3V
0V
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 1.3V. RP pin provides hardware protection and is recommended to be kept at V
IL
before power-down.
6.14 NAND Flash Core Reset Timing
AVD
CE
F220h
RDY
Operation or Idle
NAND Flash Core reset
Idle
OneNAND
Operation
High-Z
00F0h
A0~A15
DQ0~DQ15
INT
bit
WE
OE
t
Ready
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFW1G16D2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16D2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16Q2M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16U2M-DEB | FLASH MEMORY |
| KFH1G16U2M-DEB | FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFW1G16D2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16D2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(66MHz) |
| KFW1G16Q2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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