參數(shù)資料
型號(hào)： KFW1G16D2M-DIB6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁(yè)數(shù)： 49/125頁(yè)
文件大?。?/td> 1657K
代理商： KFW1G16D2M-DIB6
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)當(dāng)前第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
49
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
This Read/Write register describes the BufferRAM Sector Count (BSC) and BufferRAM Sector Address (BSA).
The BufferRAM Sector Count (BSC) field specifies the number of sectors to be loaded, programmed, or copy back programmed. At
00 value (the default value), thenumber of sector is "4". If the internal RAM buffer reaches its maximum value of 11, it will count up to
0 value to meet the BSC value. For example, if BSA = 1101, BSC = 00, then the selected BufferRAM will count up from '1101
→
1110
→
1111
→
1100'.
The BufferRAM Sector Address (BSA) is the sector 0~3 address in the internal BootRAM and DataRAM where data is placed.
F200h, default = 0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved(0000)
BSA
Reserved(000000)
BSC
Start Buffer Register Information
Item
Description
BSA[3]
Selection bit between BootRAM and DataRAM
BSA[2]
Selection bit between DataRAM0 and DataRAM1
BSA[1:0]
Selection bit between Sector0 and Sector1 in the internal BootRAM
Selection bit between Sector0 to Sector3 in the internal DataRAM
BootRAM 0
BootRAM 1
BootRAM
Sector: (512 + 16) Byte
DataRAM 1_0
DataRAM 1_1
DataRAM 1_2
DataRAM 1_3
DataRAM1
0000
0001
1100
1101
1110
1111
BSC
Number of Sectors
01
1 sector
10
2 sector
11
3 sector
00
4 sector
{
Main area data
512B
Spare area data
16B
BSA
DataRAM 0_0
DataRAM 0_1
DataRAM 0_2
DataRAM 0_3
DataRAM0
1000
1001
1010
1011
2.8.17 Start Buffer Register F200h (R/W)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFW1G16D2M-DID5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G16D2M-DID6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G16Q2M-DEB5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16U2M-DEB FLASH MEMORY
KFH1G16U2M-DEB FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFW1G16D2M-DID5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G16D2M-DID6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G16Q2M-DEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G16Q2M-DEB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(66MHz)
KFW1G16Q2M-DED5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*