參數(shù)資料
型號： KM416V4100C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 16位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁模式))
中文描述： 4米× 16位的快速頁面模式的CMOS動(dòng)態(tài)RAM（4米× 16位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶快速頁模式））
文件頁數(shù)： 7/35頁
文件大?。?/td> 697K
代理商： KM416V4100C
KM416V4000C,
KM416V4100C
CMOS DRAM
TEST MODE CYCLE
Parameter
Symbol
-45
-5
-6
Units
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Random read or write cycle time
t
RC
85
95
115
ns
Read-modify-write cycle time
t
RWC
120
138
160
ns
Access time from RAS
t
RAC
50
55
65
ns
3,4,10,12
Access time from CAS
t
CAC
17
18
20
ns
3,4,5,12
Access time from column address
t
AA
28
30
35
ns
3,10,12
RAS pulse width
t
RAS
50
10K
55
10K
65
10K
ns
CAS pulse width
t
CAS
17
10K
18
10K
20
10K
ns
RAS hold time
t
RSH
17
18
20
ns
CAS hold time
t
CSH
50
55
65
ns
Column Address to RAS lead time
t
RAL
28
30
35
ns
CAS to W delay time
t
CWD
37
41
43
ns
7
RAS to W delay time
t
RWD
72
78
88
ns
7
Column Address to W delay time
t
AWD
48
53
58
ns
7
Fast Page mode cycle time
t
PC
36
40
45
ns
Fast Page mode read-modify-write cycle time
t
PRWC
75
81
90
ns
RAS pulse width (Fast page cycle)
t
RASP
50
200K
55
200K
65
200K
ns
Access time from CAS precharge
t
CPA
31
35
40
ns
3
OE access time
t
OEA
17
18
20
ns
OE to data delay
t
OED
17
18
18
ns
OE command hold time
t
OEH
17
18
20
ns
( Note 11 )
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM416V4000C 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 16位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁模式))
KM416V4104B 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V4104C 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V4104CS-45 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM41C16000C 16M x1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x1位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁模式))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KM416V4104B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V4104C 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V4104CS-45 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM4170 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers
KM4170IS5TR3 功能描述:高速運(yùn)算放大器 Tiny RRIO Amplifier RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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