型號: | KM416V4104B |
廠商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
英文描述: | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
中文描述: | 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數據輸出 |
文件頁數: | 15/36頁 |
文件大?。?/td> | 806K |
代理商: | KM416V4104B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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KM416V4104C | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
KM416V4104CS-45 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
KM41C16000C | 16M x1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x1位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
KM41V16000C | 16M x1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x1位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
KM41C4000D | 4M x 1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 1位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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KM416V4104C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
KM416V4104CS-45 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
KM4170 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers |
KM4170IS5TR3 | 功能描述:高速運算放大器 Tiny RRIO Amplifier RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
KM4170IT5TR3 | 功能描述:運算放大器 - 運放 Tiny RRIO Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 輸入補償電壓:1 mV 輸入偏流(最大值):10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉換速度:0.89 V/us 關閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel |