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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM44L32031BT-G(L)Z |
| 廠(chǎng)商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
| 中文描述： | DDR SDRAM的規(guī)范版本1.0 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/53頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 669K |
| 代理商： | KM44L32031BT-G(L)Z |
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- 34 -
REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
5. Functional Truth Table
Current State
CS
RAS CAS
WE
Address
Command
Action
PRECHARGE
STANDBY
L
H
H
L
X
Burst Stop
ILLEGAL*2
L
H
L
X
BA, CA, A
10
READ/WRITE
ILLEGAL*2
L
L
H
H
BA, RA
Active
Bank Active, Latch RA
L
L
H
L
BA, A
10
PRE/PREA
ILLEGAL*4
L
L
L
H
X
Refresh
AUTO-Refresh*5
L
L
L
L
Op-Code, Mode-Add
MRS
Mode Register Set*5
ACTIVE
STANDBY
L
H
H
L
X
Burst Stop
NOP
L
H
L
H
BA, CA, A
10
READ/READA
Begin Read, Latch CA,
Determine Auto-Precharge
Begin Write, Latch CA,
Determine Auto-Precharge
Bank Active/ILLEGAL*2
L
H
L
L
BA, CA, A
10
WRITE/WRITEA
L
L
H
H
BA, RA
Active
L
L
H
L
BA, A
10
PRE/PREA
Precharge/Precharge All
L
L
L
H
X
Refresh
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code, Mode-Add
MRS
ILLEGAL
READ
L
H
H
L
X
Burst Stop
Terminate Burst
L
H
L
H
BA, CA, A
10
READ/READA
Terminate Burst, Latch CA,
Begin New Read, Determine
Auto-Precharge*3
L
H
L
L
BA, CA, A
10
WRITE/WRITEA ILLEGAL
L
L
H
H
BA, RA
Active
Bank Active/ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A
10
PRE/PREA
Terminate Burst, Precharge
L
L
L
H
X
Refresh
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code, Mode-Add
MRS
ILLEGAL
Table 9-1. Functional truth table
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM48L16031BT-G(L)Z | DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
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| KM44L32031BT-G(F)0 | DDR SDRAM Specification Version 0.61 |
| KM48L16031BT-G(F)0 | DDR SDRAM Specification Version 0.61 |
| KM416L8031BT-G(F)0 | DDR SDRAM Specification Version 0.61 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| KM44S32030B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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