- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373158 > KM616U4000B (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 256K x 16 Bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM(256K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài) RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KM616U4000B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 16 Bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM(256K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 256K × 16位低功耗和低電壓的CMOS靜態(tài)RAM（256K × 16位低功耗低電壓的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 134K |
| 代理商： | KM616U4000B |
KM616V4000B, KM616U4000B Family
CMOS SRAM
Revision 3.01
January 1998
7
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(WE Controlled)
Address
CS
Data Undefined
UB, LB
WE
Data in
Data out
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(CS Controlled)
Address
CS
Data Valid
UB, LB
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z
t
WC
t
CW(2)
t
WR(4)
t
AW
t
BW
t
WP(1)
t
AS(3)
t
DH
t
DW
t
WHZ
t
OW
t
WC
t
CW(2)
t
AW
t
BW
t
WP(1)
t
DH
t
DW
t
WR(4)
High-Z
High-Z
Data Valid
t
AS(3)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM616V4000B | 256K x 16 Bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM(256K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài) RAM) |
| KM616U4000C | 256K x 16 Bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM(256K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài) RAM) |
| KM616V4000C | 256K x 16 Bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM(256K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài) RAM) |
| KM616U4010C | 256Kx16 Bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM(256K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài) RAM) |
| KM62256CLTGI-10 | 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM616V1000BLTI-7L | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KM616V1002AT-12 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:Static RAM, 64Kx16, 44 Pin, Plastic, TSOP 制造商:SEC 功能描述:Static RAM, 64Kx16, 44 Pin, Plastic, TSOP |
| KM616V1002AT-15 | 制造商:SEC 功能描述:Static RAM, 64Kx16, 44 Pin, Plastic, TSOP |
| KM616V1002BT-10 | 制造商:SEC 功能描述: |
| KM616V4002BT15 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:* |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。