- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373166 > KMM53216004BV (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 16M x 32 DRAM SIMM(16M x 32 動(dòng)態(tài) RAM模塊) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMM53216004BV |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M x 32 DRAM SIMM(16M x 32 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 1,600 × 32的DRAM上海藥物研究所（1,600 × 32動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/20頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 387K |
| 代理商： | KMM53216004BV |
當(dāng)前第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)
DRAM MODULE
KMM53216004BV/BVG
Revision History
Version 0.0 (Sept. 1997)
Removed two AC parameters t
CACP
(access time from CAS) and t
AAP
(access time from col. addr.) in
AC CHARACTERISTICS
.
Version 0.1 (June 1998)
The 3rd. generation of 64M DRAM components are applied for this moudule.
Removed two AC parameters t
CACP
(access time from CAS) and t
AAP
(access time from col. addr.) in
AC CHARACTERISTICS
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM53216004CK | 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004BKG | 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004CKG | 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM5322104CKU | 2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
| KMM5322104CKUG | 2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM53216004CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM5322104CKU | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
| KMM5322104CKUG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
| KMM5322200C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。