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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5322204C2W |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 200萬× 32的DRAM上海藥物研究所使用1Mx16，每1000刷新，5V的 |
| 文件頁數(shù)： | 12/17頁 |
| 文件大小： | 287K |
| 代理商： | KMM5322204C2W |
DRAM MODULE
KMM5322204C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 12 -
Don
′
t care
RAS - ONLY REFRESH CYCLE*
NOTE : W, OE, D
IN
= Don't care
Undefined
D
OUT
= OPEN
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
ROW
ADDR
t
RC
t
RP
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ASR
t
CRP
t
RAS
t
RAH
t
RPC
t
CRP
OPEN
CAS - BEFORE - RAS REFRESH CYCLE
NOTE : OE , A = Don't care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RC
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RP
t
RAS
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RPC
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CP
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CHR
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V
OL
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DQ
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WRP
t
WRH
W
V
IH
-
V
IL
-
t
RP
* In RAS-only refresh cycle of 64Mb A-dile & B-die, when CAS signal transits from Low to High, the valid data may be cut off.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5322204C2WG | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V |
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| KMM53232000CK | 32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53232000BKG | 32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53232000CKG | 32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5322204C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V |
| KMM532256CV-08 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KMM53232000BK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53232000BKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53232000CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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