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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5322204C2WG |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 200萬× 32的DRAM上海藥物研究所使用1Mx16，每1000刷新，5V的 |
| 文件頁數(shù)： | 4/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 287K |
| 代理商： | KMM5322204C2WG |
DRAM MODULE
KMM5322204C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 4 -
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
RAS0
W
A0-A9
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
W
A0-A9
CAS0
CAS1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
W
A0-A9
CAS2
CAS3
Vcc
Vss
.1 or .22uF Capacitor
for each DRAM
To all DRAMs
RAS1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
W
A0-A9
CAS0
CAS1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
W
A0-A9
CAS2
CAS3
RAS
LCAS
UCAS
OE
RAS
LCAS
UCAS
OE
RAS
LCAS
UCAS
OE
RAS
LCAS
UCAS
OE
DQ0-DQ15
DQ16-DQ31
U0
U2
U1
U3
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PDF描述 |
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