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參數(shù)資料
型號： KMPC8349ECVVAJDB
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 9/87頁
文件大小： 0K
描述： IC MPU PWRQUICC II 672-TBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2
系列： MPC83xx
處理器類型： 32-位 MPC83xx PowerQUICC II Pro
速度： 533MHz
電壓： 1.2V
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 672-LBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 672-TBGA（35x35）
包裝： 托盤
MPC8349EA PowerQUICC II Pro Integrated Host Processor Hardware Specifications, Rev. 13
Freescale Semiconductor
17
DDR and DDR2 SDRAM
Table 15 provides the DDR capacitance when GVDD(typ) = 2.5 V.
Table 16 provides the current draw characteristics for MVREF.
6.2
DDR and DDR2 SDRAM AC Electrical Characteristics
This section provides the AC electrical characteristics for the DDR and DDR2 SDRAM interface.
6.2.1
DDR and DDR2 SDRAM Input AC Timing Specifications
Table 17 provides the input AC timing specifications for the DDR2 SDRAM when GVDD(typ) = 1.8 V.
Table 18 provides the input AC timing specifications for the DDR SDRAM when GVDD(typ) = 2.5 V.
Table 15. DDR SDRAM Capacitance for GVDD(typ) = 2.5 V
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Input/output capacitance: DQ, DQS
CIO
68
pF
1
Delta input/output capacitance: DQ, DQS
CDIO
—0.5
pF
1
Note:
1. This parameter is sampled. GVDD = 2.5 V ± 0.125 V, f = 1 MHz, TA = 25°C, VOUT = GVDD/2, VOUT (peak-to-peak) = 0.2 V.
Table 16. Current Draw Characteristics for MVREF
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Current draw for MVREF
IMVREF
—500
μA1
Note:
1. The voltage regulator for MVREF must supply up to 500 μA current.
Table 17. DDR2 SDRAM Input AC Timing Specifications for 1.8-V Interface
At recommended operating conditions with GVDD of 1.8 ± 5%.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
AC input low voltage
VIL
—MVREF – 0.25
V
—
AC input high voltage
VIH
MVREF + 0.25
—
V
—
Table 18. DDR SDRAM Input AC Timing Specifications for 2.5-V Interface
At recommended operating conditions with GVDD of 2.5 ± 5%.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
AC input low voltage
VIL
—MVREF – 0.31
V
—
AC input high voltage
VIH
MVREF + 0.31
—
V
—
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