參數(shù)資料
型號： KS32C5000
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： LSI of Ethernet(以太網(wǎng)的集成電路)
中文描述： 大規(guī)模集成電路的以太網(wǎng)（以太網(wǎng)的集成電路）
文件頁數(shù)： 11/21頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： KS32C5000
ELECTRONICS
13
May
‘98
LSI
Division
KS32C5000
System Manager
16M words addressing range supports
External 8/16/32-bit bus width supports
Glueless interface for external memory supports
4 banks of DRAM supports
6 banks of ROM/SRAM/Flash supports
4 banks of external I/O
1 bank of special register
CBR(CAS before RAS) refresh, Fast page mode, and EDO (Extended Data
Out) mode for DRAM access
Programmable bank start/end definition to provide consecutive memory
map
Programmable bank size (64K to 4M words for DRAM/ROM/SRAM, 4K to 16K
words for external I/O)
Programmable access cycles for memory bank(2 to 7 cycles)
One external bus master with bus request/grant pins
z
z
z
z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KS35A2
KV31S1
KV38S2
KS500 R.F. AND SWITCHING TRANSISTORS N-P-N, HF. UND SCHALTTRANSISTOREN N-P-N
KS524503HB TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 30A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KS32C5000A01 制造商:SAMSUNG 功能描述:New
KS3302BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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KS33J4 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode
KS33K5 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode
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