參數(shù)資料
型號： KS32C5000
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： LSI of Ethernet(以太網(wǎng)的集成電路)
中文描述： 大規(guī)模集成電路的以太網(wǎng)（以太網(wǎng)的集成電路）
文件頁數(shù)： 12/21頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： KS32C5000
ELECTRONICS
14
May
‘98
LSI
Division
KS32C5000
System Memory Map
16M words
(SA[25:0]
Reserved
Special Register bank
Internal SRAM
External I/O bank 3
External I/O bank 2
External I/O bank 1
External I/O bank 0
DRAM bank 3
DRAM bank 2
DRAM bank 1
DRAM bank 0
ROM/SRAM/Flash bank5
ROM/SRAM/Flash bank4
ROM/SRAM/Flash bank3
ROM/SRAM/Flash bank2
ROM/SRAM/Flash bank1
ROM/SRAM/Flash bank0
0x0000000
0x3FFFFFF
16K words(fixed)
0, 4Kbytes or 8Kbytes(fixed)
4K words(fixed for all I/O banks)
16K ~ 4M words {ADDR[21:0]}
Continuous
16Kwords for 4 external I/O banks
* Each bank can be located anywhere
in 64M bytes address space
相關PDF資料
PDF描述
KS35A2
KV31S1
KV38S2
KS500 R.F. AND SWITCHING TRANSISTORS N-P-N, HF. UND SCHALTTRANSISTOREN N-P-N
KS524503HB TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 30A I(C)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
KS32C5000A01 制造商:SAMSUNG 功能描述:New
KS3302BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KS3302TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KS33J4 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode
KS33K5 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode
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